合金钢砂 碳化硅微粉加热氧化除碳法知识介绍

   通过对碳化硅微粉进行高温煅烧，使碳化硅微粉中的游离碳及石墨与空气中的氧化反应，以二氧化碳或者一氧化碳的形式脱离碳化硅，从而实现了除碳的目的。

 

   利用高温煅烧出去碳化硅微粉中的碳杂质，该方法的最佳工艺条件为煅烧温度为900℃，煅烧时间为3小时，碳化硅内部的碳杂质得到了完全去除。

 

   以空气为氧化介质进行碳化硅微粉与碳杂质的分离。实验结果表明：当氧化温度在450~560℃之间，氧化时间在4小时，杂质炭的去除率可以达到98.6%~99.2%。

 

   通过实验分析可知，在一定的温度及时间范围内，加热氧化法对碳化硅微粉中的碳杂质去除率可达98%，但由于粒径为微粉级的碳化硅表面积过大，如果加热温度过高，易造成碳化硅微粉的表面氧化，形成的氧化薄膜二氧化硅可能将碳微粉包裹，从而不利于碳杂质的去除。

 

   碳化硅微粉化学氧化除碳法：

 

   利用硝酸、硫酸和高氯酸中的一种或组成混合酸使用，或者在酸中添加作无机氧化剂的高锰酸钾和重铬酸钾，使碳化硅微粉中的碳杂质以气体的形式挥发出去，从而实现了对石墨和游离碳的去除。

 

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